MIT a dezvăluit tranzistori 3D nanoscalari care ar putea revoluționa electronica eficientă. Acești tranzistori, construți dintr-o structură unică de nanowire, depășesc modelele tradiționale pe bază de siliciu, funcționând la o scară mult mai mică. Folosind tranzistori cu efect de câmp cu nanowire verticale (VNFETs), designul MIT minimizează producția de căldură și scurgerile de energie, provocări frecvente în circuitele dense. Aceste VNFETs utilizează materiale semiconductoare alternative, oferind o conductivitate mai mare și eficiență energetică superioară. Deși se află în faza experimentală, aceste inovații ar putea influența diverse industrii, de la smartphone-uri la centre de date mari, dacă vor fi comercializate cu succes.