Purdue University și GeChi Compound Semiconductor semnează un MOU pe 5 ani pentru a scala producția de plăci SiC în SUA - obiectiv: trecerea la wafer-e de 8 și 12 inci pentru AI și 6G
Purdue University și GeChi Compound Semiconductor au semnat un MOU pe 5 ani pentru a dezvolta producția de plăci SiC în SUA, esențială pentru AI și 6G.
Continuarea pe Xchg